Группа японских учёных впервые экспериментально подтвердила проявление альтермагнетизма в тонких плёнках диоксида рутения. Это явление, замеченное всего лишь год назад, может привести к значительным изменениям в области магнитной записи и накопителей. Исследование было проведено сотрудниками Национального института материаловедения, Токийского, Киотского и Тохокуского университетов.
Ученые использовали точное эпитаксиальное выращивание RuO2 на подложках Al2O3, что дало возможность проанализировать уникальные спиновые свойства этого материала. Результаты эксперимента подтвердили теоретические расчёты и были получены с помощью специализированных методов, среди которых рентгеновская дифракция и магнитный линейный дихроизм.
Альтермагнетизм представляет собой третий тип магнетизма, который сочетает в себе лучшие качества ферромагнетиков и антиферромагнетиков. В отличие от ферромагнетиков, такие материалы не обладают чистой намагниченностью и лучше устойчивы к внешним магнитным полям, что уменьшает число ошибок в памяти. Кроме того, спиновые состояния альтермагнетиков легче считываются и управляются, что позволяет снизить энергозатраты.
Данное открытие открывает новые горизонты для создания передовых запоминающих устройств. На основе альтермагнитных материалов, подобно RuO2, возможно разработать более быструю и энергоэффективную альтернативу MRAM, а также улучшенные SSD и HDD. Такие устройства обещают меньшие энергетические затраты и высокую производительность, что особенно важно для дата-центров и AI-систем.
Хотя технология сейчас находится на ранних стадиях исследований, её потенциал многообещающий. Ожидается, что коммерческая реализация займёт несколько лет, однако открытие уже стало важным шагом к новой эре спинтронных технологий в вычислениях и хранении данных.